InSb-Au复合结构磁场传感器的偏置磁场调控特性

GMR和TMR读磁头由于磁噪声等因素制约，难以满足下一代海量磁存储技术的需要，研发新型的信息读取原理与技术迫在眉睫。InSb-Au复合结构具有异常磁阻效应，极有可能成为下一代信息读取技术的首选。但该结构的低场磁阻不是非常明显，成为制约其实用化的瓶颈。本项目提出了一种增强InSb-Au复合结构低场磁阻的新思路：通过具有垂直磁各向异性的Co/Pt多层膜引入一个偏置磁场，使磁阻曲线偏移，从而大幅提高低场磁阻。Co/Pt多层膜的饱和磁化强度及矫顽力可控性极强，将Co/Pt与InSb-Au复合结构相结合，是实现超高密度信息读取的理想途径。本项目将在生长高质量InSb薄膜及成功制备InSb-Au复合结构磁场传感器的基础上，研究Co/Pt偏置磁场对器件低场性能的调控特性，建立偏置磁场大小与磁阻及信噪比的定量关系，找到器件最佳工作条件，为其实用化找到一条有特色的可行途径。