用注入原子外扩散法(C(+)注入和/或后续热处理),研究了Cu基片类型(单晶、多晶)、注入剂量D、基片温度Ts及退火参数对C原子扩散及键合特征的影响。对Cu进行了C(+)+h(+)和H(+)+C(+)注入,研究了H(+)注入对C键及C的扩散行为的影响。研究了N(+)、Fe(+)注入对碳膜结构的影响及H原子在相变中的作用。表明,C原子成键行为与基体类型无关;较高C值导致罗多C-C键;较高Ts促进C向表面扩散及C-C键形成;真空、氢气和脉冲激光退火均导致C向表面扩攻并聚集,形成非晶C和/或微昌石墨。在原子H中退火时,原子H对表面有严重刻蚀。H(+)洲入有利于C原子向外扩散和成键。H(+)注入后形成的C-C键是典型的类金刚石结构。提出了相关物理模型。
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数据更新时间:2023-05-31
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