非平衡磁控溅射ICP增强电离会切磁场约束沉积技术
基本信息
批准号：50277003
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：任春生
学科分类：
依托单位：大连理工大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张家良,刘艳红,邹学平
关键词：
非平衡磁控溅射电感藕合等离子体会切场
结项摘要
采用非平衡磁控溅射点会切磁场约束的ICP增强电离技术，形成高沉积率高电离度的沉积系统；研究会切磁场与溅射源磁场交联分布对溅射产物的速度分布溅射效率和电离度的影响规律；研究会切磁场分布对屏蔽环自偏压的影响规律；研究会磁场分布对ICP的电子浓度电子温度的影响。这种技术可应用于微电子半导体等高技术领域。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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