采用非平衡磁控溅射点会切磁场约束的ICP增强电离技术,形成高沉积率高电离度的沉积系统;研究会切磁场与溅射源磁场交联分布对溅射产物的速度分布溅射效率和电离度的影响规律;研究会切磁场分布对屏蔽环自偏压的影响规律;研究会磁场分布对ICP的电子浓度电子温度的影响。这种技术可应用于微电子半导体等高技术领域。
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数据更新时间:2023-05-31
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