磁性纳米线阵列-Al2O3复合膜的高频磁导率研究

本项目通过在多孔氧化铝模板（AAO模板）上, 用无电化学沉积法(Electroless Chemical Deposition)将几种磁性材料(如FeCoB, FeNiB,FeCoNiB, FeCoP等)组装进AAO模板的纳米空洞中,制成磁性纳米线阵列-Al2O3复合膜。我们通过对制备工艺的控制，实现对纳米线形状各向异性、纳米线相互作用、纳米线磁化机制、复合膜电阻率等参数的控制，并在频率范围为500 MHz-20 GHz内测量复合膜的磁谱（即磁导率随频率的变化），研究上述参数对复合膜高频磁谱的影响：如自然共振频率的大小；不同磁化机制（畴壁运动或自旋转动）对磁导率的影响；复合膜电阻率的变化规律以及它对高频磁谱的影响；纳米线在有无相互作用情况下的复合膜的高频磁谱等。本项目在研究纳米线间相互作用上、纳米线形状各向异性等因素对磁性纳米线阵列-Al2O3复合膜的高频磁导率行为上，均具有创新性。