化合物半导体量子阱线中的电子-声子相互作用及相关问题

计入类体和界面光学声子影响，着重研究化合物半导体柱形、方形阱量子线的杂质、激子态，仔细甄别各支声子的作用，以求更准确地理解光学声子对相关电子行为的影响；考虑三元混晶光学振动双模性，运用我们给出的正则模描述，导出混晶量子阱线的电子－光学声子相互作用哈密顿量，进而获得相应极化子效应的新结果；实现对半导体量子阱线中电-声子作用的分维描述，为相关问题的理论研究提供更简便的方法；仔细研究电－声子作用对外场中量子阱线电子态的影响，准确理解斯塔克移动等现象的极化子效应；考虑声学振动形变势，正确描述量子线中电子－声学声子作用，获得声学极化子自陷条件的理论值；取得此类系统声子结构第一原理计算的初步成果，为在极化子理论研究中引入声子结构复杂性奠定基础。研究有助于正确认识量子线中的电－声子作用，理解相关实验现象，推动理论工作发展，为实验工作和新型微电子器件研制提供有参考意义的知识，是有应用背景的基础理论研究。