高灵敏交换耦合磁致伸缩薄膜材料的研究
基本信息
批准号：50271014
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：张万里
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张文旭,闫斌,符春林,张金平,杨传仁
关键词：
纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜微磁学
结项摘要
利用直流磁控溅射及晶化方法，制备在低场下具有高灵敏度的纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜，并利用微磁学理论研究纳米交换耦合对材料磁弹性能的影响，为低场敏感磁致伸缩材料的设计提供理论基础，为材料的制备开辟新的途径，为MEMS用机电转化、耦合结构提供重要的材料支撑。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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