高灵敏交换耦合磁致伸缩薄膜材料的研究

基本信息
批准号:50271014
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:张万里
学科分类:
依托单位:电子科技大学
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张文旭,闫斌,符春林,张金平,杨传仁
关键词:
纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜微磁学
结项摘要

利用直流磁控溅射及晶化方法,制备在低场下具有高灵敏度的纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜,并利用微磁学理论研究纳米交换耦合对材料磁弹性能的影响,为低场敏感磁致伸缩材料的设计提供理论基础,为材料的制备开辟新的途径,为MEMS用机电转化、耦合结构提供重要的材料支撑。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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