本课题主要研究了碱金属在III-V族半导体表面的吸附及界面反应,重点是:界面能带弯曲及费米能级的钉扎;界面处元素芯能级的化学位移及原子键合状态;以及碱金属对半导体氧化反应和氮化反应的催化作用。实验结果表明;在氧化过程中,碱金属一直维系于表面,而氧则渗入碱金属半导体界面,打断了原有的碱金属与衬底的弱键合,形成稳定的半导体氧化物;催化氧化的效果与碱金属原子在衬底上的吸附键合状态有关。研究结果还表明,表面或界面缺陷介入了界面反应,在催化过程中起了重要作用。关于碱金属和元素半导体的键合作用,本课题认为:碱金属的一个价电子部分地填充了半导体的表面悬挂键,在禁带中形成了一个半满的表面态带。
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数据更新时间:2023-05-31
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