目前,微波器件引导磁场多采用脉冲引导磁场(采用大容量的电容器组对螺线管线圈放电)和低温超导磁场。脉冲引导磁场受线圈电阻发热、线圈体积、电容器容量和电容器内阻等因素的影响,无法满足微波器件强引导磁场的要求。低温超导磁场工作温度低(在4K左右),稳定裕度较小,系统整体效率较低。Bi-2223/Ag高温超导带材临界温度高达110K,制成的磁体工作温度范围宽,热容量大,因此其稳定性、可靠性高。Bi系高温超导带材在较低温度下具有良好的磁场特性,很适合强场磁体的应用,国外已经将Bi-2223/Ag高温超导磁体作为强场内插磁体应用。本申请将结合高温超导材料自身的特性,针对高温超导匀场磁体全局优化方法、高场强高温超导磁体制造及测试技术等问题开展研究,解决高温超导匀场磁体在高性能微波器件引导磁场中应用的关键技术难题,为其最终在微波器件得到应用打下基础。
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数据更新时间:2023-05-31
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