高自旋极化率材料的探索
基本信息
批准号：10374044
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：都有为
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：倪刚,藉建葶
关键词：
磁电阻效应半金属自旋极化率
结项摘要
磁电阻效应含AMR,GMR,TMR,CMR 以及OMR等电阻随磁场产生显著变化的物理现象，自从1988年发现巨磁电阻效应（GMR）以来，发展迅猛，在高密度读出磁头，磁传感器等应用中已取得显著的经济效益与社会效应，据有关信息，磁随机存储器将于2003年底推出，这将成为现在微机中所用的半导体内存有力的竞争者，其产值估计将超过一千亿美元。此外，磁晶体管等自旋器件的研制正方兴未艾，更为重要的是磁电阻效应开
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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