首次在室温下用Nd:rAG调Q激光(脉宽7ns,三波长)在P-Si半导体上诱导沉积Ni-Pd纳米膜,改变激光参数和照射时间,得到数十至数百纳米膜厚,比常规化学沉积温度降低50至60度,且沉积速率高。用STM、SEM、XRD、XPS、和DSC现代表面测试手段研究薄膜的形貌、组成、结构、厚度及与膜生成过程、催化析氢析氢性能等的关系,表明激光诱导膜的析氢性能比常规法高出许多。采用计算机智能系统进行控电位沉积,得到良好结合力的薄膜,其原因是Ni Pd在Si基中的扩散所致。少量P的加入有利于内应力的抑制和表面裂纹的减少。NiPd P膜尔是良好的催化剂,其非晶态在三百度晶化。观察到表面晶状结构系纳米团簇粒子,人为地控制其大面积生长,具有重要的理论和实际意义。
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数据更新时间:2023-05-31
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