大直径直拉硅单晶中新微缺陷的研究
基本信息
批准号：60076001
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：刘彩池
学科分类：
依托单位：河北工业大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王永宏,郝秋艳,朱军山,张志成
关键词：
大直径硅单晶腐蚀微缺陷
结项摘要
大直径直拉硅单晶中出现的ＣＯＰs、ＬＳＴＤ、ＦＰＤ等新微缺陷对集成电路栅极氧化物耐暾裕ǎ牵希桑└涸穑３终飧霰?称做晶体管“心脏“的ＧＯＩ完整性，研究这些缺陷的结构、形态、形成机理及在热过程中的演变和与氧微沉淀、硅中杂质、缺陷的相互作用，降低和消除这类微缺陷的热工艺，对提高大直径硅片质量和ＵＬＳＩ成品率具有实用意义和学术价值。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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