大直径直拉硅单晶中出现的COPs、LSTD、FPD等新微缺陷对集成电路栅极氧化物耐暾裕ǎ牵希桑└涸穑3终飧霰?称做晶体管“心脏“的GOI完整性,研究这些缺陷的结构、形态、形成机理及在热过程中的演变和与氧微沉淀、硅中杂质、缺陷的相互作用,降低和消除这类微缺陷的热工艺,对提高大直径硅片质量和ULSI成品率具有实用意义和学术价值。.
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数据更新时间:2023-05-31
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