大直径直拉硅单晶中新微缺陷的研究

基本信息
批准号:60076001
项目类别:面上项目
资助金额:17.00
负责人:刘彩池
学科分类:
依托单位:河北工业大学
批准年份:2000
结题年份:2003
起止时间:2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王永宏,郝秋艳,朱军山,张志成
关键词:
大直径硅单晶腐蚀微缺陷
结项摘要

大直径直拉硅单晶中出现的COPs、LSTD、FPD等新微缺陷对集成电路栅极氧化物耐暾裕ǎ牵希桑└涸穑3终飧霰?称做晶体管“心脏“的GOI完整性,研究这些缺陷的结构、形态、形成机理及在热过程中的演变和与氧微沉淀、硅中杂质、缺陷的相互作用,降低和消除这类微缺陷的热工艺,对提高大直径硅片质量和ULSI成品率具有实用意义和学术价值。.

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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