纳米点薄膜电子俘获光存储材料的研究
基本信息
批准号：60477034
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：赵军武
学科分类：
依托单位：西安交通大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王永昌,张孝林,黄丽清,张俊武,李正,闫仕农,赵延瑞,齐小霞
关键词：
电子俘获光存储材料纳米凹坑阵列纳米点阵列薄膜
结项摘要
研究利用多孔阳极氧化铝薄膜，制备不同深度、不同直径有序纳米凹坑阵列的关键技术和方法，探索以有序纳米凹坑阵列的氧化铝薄膜为模板，制备电子俘获材料纳米点阵列薄膜的工艺和条件，制备出高质量的具有纳米尺度有序点阵列的电子俘获薄膜材料。对所制备材料的存储密度及光学特性进行测试分析，依据测试结果，从理论上研究影响材料存储密度和光学特性的机理，优化实验方法和工艺条件，探索调控材料存储密度和光学特性的有效途径。所
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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