具有极大磁阻的材料体系的电子结构实验研究

Extra large positive magnetoresistance (XMR) is a phenomenon that the resistivity change dramatically under external magnetic field. It draws researchers' attention because its potential application. The magnetoresistance (MR) changes either linearly or quadratically as the external field B increases, and shows no sign of saturation under current highest magnetic field. It also shows a metal-insulator transition when decreases temperature under magnetic field, and forms a plateau at low temperature. The MR shows high conductivity and electron mobility, and anisotropic magnetic dependence. Due to the complexity of the materials and their properties, the mechanism of the XMR remains unclear. We are going to study the electronic structure of the XMR, including band dispersion, Fermi surface, Fermi velocity and their evolution under the change of temperature. In combination with transport data, ARPES results, and theoretical study, we are trying to understand the mechanism of the XMR phenomenon.

超大磁阻现象（XMR）是指材料的电阻在磁场下呈现剧烈变化的行为,因为其潜在的应用和复杂的性质引起了关注。其磁阻在磁场下呈线性（~B)者平方增长(~B^2)的关系，并且在现有的磁场下没有观察到饱和的迹象。其磁阻随温度变化出现金属-绝缘体转变行为，并且在低温下形成一个电阻平台。在低温下材料有很好的导电性和非常高的迁移率，并且磁阻有明显的各向异性。因为其复杂的材料和物理性质，对其机理的理解仍然是一个难题。我们计划利用角分辨光电子谱（ARPES）实验手段来研究XMR材料的电子结构，包括色散、费米面、费米速度等方面，研究其随着材料和具体材料的温度的变化关系，结合输运结果和理论计算，来理解XMR现象。

超大磁阻现象(XMR)是指材料的电阻在磁场下呈现剧烈变化的行为,因为其潜在的应 用和复杂的性质引起了关注。其磁阻在磁场下呈线性(~B)者平方增长(~B^2)的关系，并 且在现有的磁场下没有观察到饱和的迹象。因为其复杂的材料和物理性质，对其机理的理解仍然是一个难题。我们利用角分辨光电子谱(ARPES)实验手段来研究XMR材料的电子结构，包括色 散、费米面、费米速度等方面，具体研究了几类材料的电子结构，对XMR现象有了进一步的认识。同时，我们进一步探索了笼目结构的电子结构，也取得了对该类材料特殊电子结构