物理化学气相沉积法生长MgB2厚膜的研究
基本信息
批准号：50572001
项目类别：面上项目
资助金额：27.00
负责人：冯庆荣
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：庄承钢,陈晋平,陈莉萍,丁莉莉
关键词：
超导厚膜物理化学气相沉积法MgB2
结项摘要
在我们首先于国际上用混合物理化学气相沉积法（HPCVD）制备出不锈钢衬底MgB2超导薄膜的基础上，通过进一步研究清楚厚膜的热力学和反应扩散过程，生长不同厚度膜的超导电性和微结构的关系，衬底和隔离层的关系，膜中掺杂的问题等，为用此方法生长MgB2 长线（带）打下坚实的基础。以期在今后的三到四年期间为制造2T的可替代现在医用核磁共振成像仪中所用的低温Nb3Sn带和NbTi线做的超导磁体的MgB2超导磁
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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