杂质工程在Ⅱ-Ⅵ族ZnS基可见光盲紫外探测器的应用探索
基本信息
批准号：60276012
项目类别：面上项目
资助金额：23.00
负责人：卢励吾
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：Weikun Ge,I· K· Sou,张砚华,刘佳
关键词：
杂质和缺陷工程ZnS基紫外探测器
结项摘要
科学技术进步使人们可以把半导体中杂质中心行为应用到相关光电子器件领域。本项目在研究Ⅱ—Ⅵ半导体类D（施主）X，A（受主）X和IE（等电子）中心行为和特性基础上，把Ⅱ—Ⅵ ZnS基材料的杂质和缺陷工程应用于我们首次研制成功的ZnS、ZnSTe、ZnSSe和ZnMgS可见光盲肖特基势垒紫外探测器。为改善和提高探测器性能和参数提供有实用价值、重要的应用基础研究资料。..
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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