砷化镓工业中污染的综合治理研究

基本信息
批准号:29277277
项目类别:面上项目
资助金额:6.00
负责人:刘巽琅
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:叶兆杰,朱荫湄,何宏家,赵建群,曹慧梅,孙文荣,胡勤海,胡志强,金盾
关键词:
***
结项摘要

采用化学、物理化学和生物学方法,对半导体材料GaAs生产和加工工艺所产生废水中的Ga、As进行分析和吸附、富集、浓缩等试验。天然矿物中以膨润土的砷吸附率最高达71%。树脂类吸附剂以大孔强碱性阴离子D202、D201吸附效果最好,吸附量随PH值上升而上升,阳离子Ga、In共存时吸附能力下隆。AS(V)较As(Ⅲ)易被吸附故选用MnO2作为氧剂把As(Ⅲ)氧化成As(Ⅴ),具有较好效果。选用稀土元素钕、铈、镧,在溶液中有较好的絮凝作用,并能吸附As((Ⅲ)和As(Ⅴ),去除率分别为96%和99%。从土壤中分离出一种耐砷菌种,与活性污泥共同驯化培养6个月形成菌蓬共生体,其富集砷的含量达7472mg/kg。本研究为含砷废水的治理提供了有实用意义的方法。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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