碳化硼的结构与热电输运性能的研究既有重要的理论意义又有重要的应用背景。本项目着重研究掺杂元素(锆、钒、镍、钛、铝、硅等)后碳化硼细微的结构变化和性能性变,以期对性能进行调制和改善,特别是得到n型的半导体。对热压的块状以及薄膜材料进行了研究,首次发现锆等元素的掺杂会使碳化硼链结构单元产生空位,揭示了可以把某些杂质原子插入到链中。首次用正电子谱给出了空位与掺杂元素种类和浓度的关系。对掺杂元素的存在形式和晶格位置有了较明确的结果。选择掺杂可使热电输运参数升学高或降低,特别是掺镍后首次获得了n型的碳化硼,为进一步的理论研究和应用研究提供了重要成果。项目分年度研究内容和目标都已完成,发表论文任务也已完成。
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数据更新时间:2023-05-31
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近红外光响应液晶弹性体
Design, synthesis and antimycobacterial activity of new benzothiazinones inspired by rifampicin/rifapentine
老年2型糖尿病合并胃轻瘫患者的肠道菌群分析
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