光子和电子束在材料界面的辐射剂量研究

光子射线辐照材料界面时界面及邻近区域非平衡剂量的确定是一难题。本项目研制以导电硅和铝作介质的两种多层电离室，用改变两端材料和方法研究An/si,Kovar/Si,Au/Al等多种界面在γ和X射线照射下产生的剂量分布，得到界面附近剂量分布与光子能量、入射方向、材料原子序数的关系，发现低能光子入射原子序数相差悬殊的材料界面时效应最显著，用光电、俄歇等机制和电子透射散射输运理谕解释并计算剂量分布，得到与实验符合结果。本项目研制的多层硅室和用同步辐射光作低能光子源和实验在国内外未见报道，属首创。界面非平衡剂量研究对传统平衡剂量学是一贡献，有一定科学意义，其结果对评估半导体器件典型界面剂量增强效应及辐射损伤具有应用价值。