单电子多势垒隧穿结构器件的制备与研究
基本信息
批准号：69871013
项目类别：面上项目
资助金额：15.00
负责人：力虎林
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张亚菲,王春明,杨得全,高作宁,张浩力,孙乔玉,刘素燕,王臻,龚行
关键词：
单电子器件多势垒隧穿结构
结项摘要
研究采用电沉积与SPM和自组装相结合的加工制备技术,制备纳米尺寸(单个纳米粒子小于20nm)的单电子隧传结构.改变纳米量子电尺寸,材料及纳米点间的势垒宽度和对称性,研究这些峁沟母髦值缪阅芎拖窒蠹坝跋煲蛩?获取优化的结构参数和工作条件下的性能评价,本项拷醪街瞥善矫嫘偷サ缱悠骷?
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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