提出了部分耗尽(PD)型SOI技术可以比超薄体(UTB)SOI 技术具有更强的可缩小能力的新观点,并针对常规PD SOI技术所存在的主要问题提出了自己的解决方案。该解决方案包括提出一纳米尺度的PD SOI器件新结构以及实现该新结构的技术方案和工艺方法。初步的模拟结果已显示出该新结构的显著优势。另外从与CMOS技术兼容的角度,分析和讨论了相关的技术方案在工艺上的可行性。本项目将对所提出的新结构器件的
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
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