新型亚50纳米部分耗尽型SOI器件研究
基本信息
批准号：60676023
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：张盛东
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：韩德栋,李定宇,翟霞云,韩旭,曹笈,莫邦燹
关键词：
MOSFETSOI纳米尺度SDE部分耗尽
结项摘要
提出了部分耗尽（PD）型SOI技术可以比超薄体（UTB）SOI 技术具有更强的可缩小能力的新观点，并针对常规PD SOI技术所存在的主要问题提出了自己的解决方案。该解决方案包括提出一纳米尺度的PD SOI器件新结构以及实现该新结构的技术方案和工艺方法。初步的模拟结果已显示出该新结构的显著优势。另外从与CMOS技术兼容的角度，分析和讨论了相关的技术方案在工艺上的可行性。本项目将对所提出的新结构器件的
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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