深亚微米双极型器件自隔离自对准技术研究

研究一种以垂直定向刻蚀，侧墙绝缘和等平面隔离为基础的双极型器件基极和发射极自对准制作技术的可行性。探索出了已制作出功能特性正常器件的制作工艺流程。新方法可减少引线孔和金属电极引线制作中的二道精对准光刻工序；同时可缩小管芯面积，减少基极电阻，提高器件工作频率。研究成功一种用侧向电镀制作具有大高宽比的深亚微米金图形的新工艺并以它为基础研究出一种用混合技术制作X光光刻掩模的新方法；制作深亚微米双极和场效应器件的X光光刻掩模；创新设计制作出一种夹板式X光光刻对准装置，开僻了用X光光刻制作深亚微米双极场效应器件的新途径。通过研究，申报登记二项发明专利和一项实用新型专利，在国外刊物发表论文一篇。