硅上生长砷化镓界面应力产生机理及消除技术
基本信息
批准号：69076416
项目类别：面上项目
资助金额：5.00
负责人：夏海良
学科分类：
依托单位：东南大学
批准年份：1990
结题年份：1993
起止时间：1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈大金,李明祥,杨一平,钱文生
关键词：
砷化镓应力生长
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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