集成穿通基区硅光电晶体管光探测器的研制

穿通基区硅光电晶体管是一种新型硅光电探测器，采用横向结构，制造工艺完全与CMOS制程兼容，具有高增益、低噪声和高信噪比、工作电压低、响应速度快，非常适合实时性较高而又要求廉价的弱光探测系统。本项目提出将其与偏置电路、放大器电路相集成，构成集成穿通基区硅光电晶体管光探测器的思想。本项目中将进行穿通基区硅光电晶体管的设计研究，对器件进行理论分析和SPICE模型建模，在此基础上设计适应宽带快速响应和低噪声弱光检测两种基本架构的不同放大器电路及其它辅助电路，并进行整体电路参数优化、集成光探测器制造和测试。集成穿通基区硅光电晶体管光电探测器可以减小外界干扰，提高可靠性，降低系统成本，可取代传统半导体光探测器应用在短距离光通讯、光信息处理、弱光探测、光谱分析、单光子探测等多个领域，研究意义十分巨大。