二维电子气与二维空穴气的回旋共振对比研究

本课题采用先进的栅压比谱技术，以回旋共振为主要实验手段，结合带间光激发、远红外光电导和磁输运的实验方法，研究了GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs异质结量子阱结构中单层和双层二维电子和空穴气的物理性质。获得了这些低维系统中子能带结构、能带及材料参数等重要实验数据、并着重研究了电子－电子相互作用对回旋共振的影响以及由自旋－轨道相互作用引起的零场自旋分裂现象。研究结果对于改善以低维电子气为核心的MOSFET性能，设计双层隧穿场效应晶体管，以及实现真正以自旋现象为基础的所谓自旋晶体管，提供了重要的参考数据。