基于垂直磁记录的FeNi/FePt-SiO2异质超晶格薄膜研究

垂直磁记录能实现超高密度信息存储，但对其记录介质的薄膜微结构和磁性能提出了严格的要求。目前其要求难以同时满足成为该技术大规模应用的瓶颈。本项目将以FeNi/SiO2掺杂的FePt为研究对象，取向生长的FeNi薄膜为A层，FePt与SiO2镶嵌复合薄膜为B层，制备A、B层交替生长的超晶格结构，研究超晶格界面对薄膜微结构及磁性能的影响，实现对薄膜微观结构以及磁学性能的调控，研制出满足垂直磁记录要求的软/硬磁交换耦合超晶格薄膜。具体通过共沉积SiO2 和FePt，形成具有L10-FePt结构的纳米颗粒镶嵌体系；通过FeNi与L10-FePt的界面影响，使得L10-FePt纳米颗粒沿C轴取向生长，实现磁各向异性；通过软/硬磁交换耦合，降低薄膜的开关磁场，达到现行磁头的要求。同时通过对工艺条件的系统研究，获得制备最佳磁性能薄膜的优化工艺条件，推动超高密度的垂直磁记录技术应用的发展。

垂直磁记录能实现超高密度信息存储，但对其记录介质的薄膜微结构和磁性能提出了严格的要求。目前其要求难以同时满足成为该技术大规模应用的瓶颈。本项目以FeNi/SiO2掺杂的FePt为研究对象，取向生长的FeNi薄膜为A层，FePt与SiO2镶嵌复合薄膜为B层，制备A、B层交替生长的超晶格结构，研究超晶格界面对薄膜微结构及磁性能的影响，实现对薄膜微观结构以及磁学性能的调控，研制出满足垂直磁记录要求的软/硬磁交换耦合超晶格薄膜。通过FeNi与L10-FePt的界面影响，使得L10-FePt纳米颗粒沿C轴取向生长，实现磁各向异性；通过软/硬磁交换耦合，降低薄膜的开关磁场，达到现行磁头的要求。同时通过对工艺条件的系统研究，获得了制备最佳磁性能薄膜的优化工艺条件，完成了项目的各项目标。