磁畴壁和布洛赫线物理研究
基本信息
批准号：19274016
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：聂向富
学科分类：
依托单位：河北师范大学
批准年份：1992
结题年份：1995
起止时间：1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：聂向富,韩宝善,唐贵德,霍素国,孙慧元,李伯藏,候登录,欧阳芳立,阎风利,郭革新
关键词：
***
结项摘要
本项目将研究多层场介质、掺杂场介质和不同氧化方式制备的场介质的辐照电荷产生机理、场阈值电压漂移及漏电的辐照规律，在提高场介质本身总剂量加固能力的基础上，开发一种适用于大规模、超大规模CMOS集成电路和高速CMOS集成电路 的场区总剂量加固技术，本项目的研究成功将为研制应用于卫星及航天飞行系统中的集成电路开壁广阔的前景。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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