偶氮衍生物LB膜光电化学超高密度信息存储研究

基本信息
批准号:29403020
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:8.20
负责人:李志扬
学科分类:
依托单位:华中师范大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张爱东,薛思佳,叶苏孙,胡秉谊,刘立民,马宁,袁观宇,李群祥
关键词:
存储材料STM和PSTM光电化学存储
结项摘要

纳米技术是近年来受到高度重视的一个科技前沿。我们对自行研制的光子扫描隧道显微镜(PSTM)进行了改造,建立了一套QSTM-STM(扫描隧道显微镜)联用系统。同时用改造后的STM观察了不同金属针尖的场蒸发行为,实现了每平方厘米约60G比特的信息存储密度。通过引入有效结合能,重新建立了STM蒸发场强计算公式。首次计算得到了与实验吻合的金离子蒸发场强,并发现它是高度局域化的。通过引入探测效率因子,建立了统一的近场与远场条件下的扫描成像原理,进而扒导并PSTM的角谱传递函数。探索了用偶氮衍生物LB膜实现超高密度光电化学信息存储的可能性,我们认为把近场光学与相变光盘相结合是一个更值得探索的方向。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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