高密度磁光存储Pt-Co合金薄膜的性能研究

基本信息
批准号:69777016
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:沈德芳
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:戴道生,邹志强,李明,荀坤
关键词:
短波长磁光合金薄膜
结项摘要

铂钴薄膜是磁光短波长超高密度记录最有希望的存储介质。我们在国际上首先采用复合靶方法制备了性能优异的铂钴合金薄膜后,又成功地首次采用合金靶溅射制备铂钴合金薄膜,其磁和磁光性能达到了实用化要求,且矫顽力达4.5 千奥斯特,超过了用其他方法制备的薄膜用镍替代钴后基本性能不变,但居里温度有所下降,为降低激光记录功率提供了有效途径。通过研究寻找到最佳制备工艺条件。讨论了铂钴合金薄膜各向异性的物理机因,设计了优化盘片性能的程序,为今后实用化提供了科学依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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