真空灭弧室内真空度对弧后发射及微放电电流的影响研究

目前,定量测量真空开关灭弧室真空度较好的方法是在灭弧室外围加上磁场线圈的磁控放电法。此法只能用于灭弧室不拆卸测量线圈可进入的旧型号真空开关。新型真空开关,由于灭弧室被绝缘全封闭,磁场线圈无法靠近,磁控放电法就无能为力了,必须寻找新的方法。本研究中,提出了一种无需施加磁场的新方法,即首先利用几百安的真空电弧除去电极表面原有的分子吸附层,形成一清洁的表面。电弧熄灭后,随着时间的加长,气体分子又慢慢被吸附到电极表面上,形成新的吸附层,这些新的吸附层的存在会增大触头材料逸出功,导致弧后发射和微放电电流的衰减,此衰减与真空度有直接关系。若在电弧熄灭后的电极间施加工频电压,极间就会有容性、发射和微放电电流,在补偿掉容性电流后,余下的主要是发射和微放电电流,通过测量该发射和微放电电流随真空度的变化情况,再通过理论分析与计算,就可以知道灭弧室内的真空度。该方法真空度测量范围可达10的负5幂到10的负2幂帕