以p型μc-Si为发射极的高效异质结HIT太阳能电池的制备研究与模拟计算

运用AMPS程序模拟计算以n型CZ-Si为衬底的异质结HIT型太阳电池的光伏特性，得到理论上最佳转换效率条件。研究对n型c-Si片的表面处理工艺和表面织构。采用射频PECVD技术，在高压下通过改变沉积参数，低温（<200℃）制备出优质的p型μc-Si发射极（窗口层）。通过在p型μc-Si:H薄膜和n型CZ-Si之间插入一薄层本征μc-Si:H薄膜或a-Si:H薄膜（buffer layer），制备出异质结HIT电池。研究buffer layer对异质结电池的性能影响。比较插入本征μc-Si:H 层与a-Si:H层对电池光伏特性的影响。找到最佳异质结HIT太阳能电池的制备条件。研究异质结电池的界面输运和复合机制。研究蒸发制备出高透光率、高电导率的ITO透明导电膜。获得开路电压超过600mV，效率超过17%的异质结HIT太阳电池。该电池制备工艺简单、能耗小、稳定且转换效率高，具有巨大应用前景。