红外焦平面阵列新结构高性能CMOS读出电路研究

基本信息
批准号:60077025
项目类别:面上项目
资助金额:18.00
负责人:袁祥辉
学科分类:
依托单位:重庆大学
批准年份:2000
结题年份:2003
起止时间:2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:黄友恕,吕果林,刘成康,汪涛,薛联
关键词:
高性能读出电路红外焦平面阵列
结项摘要

将新型恒偏压隔离注入、自适应电流增益控制放大、高均匀性背景电流抑制积分、相关双采样、低功耗动态输出等技术融合,构成新结构的CMOS读出电路,可克服现有各种读出电路存在的缺点,使红外焦平面阵列性能全面大幅度提高。该技术可加快我国红外焦平面阵列的研制进程,缩短与国际先进水平的差距,在军事和民用市场都有重要而广阔的应用前景。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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