半导体材料的发光多色化和高亮度化是光电子材料和器件研究中的前沿课题。直接宽带隙GaN材料具有制备纯蓝光器件所要求的光电特性。其发射的纯蓝光与红、绿光构成白光的三基色。GaN基LED具有高亮度、低能耗、高寿命的特点。由于MOCVD和LPE技术生长GaN基材的生长温度高达1050度左右,从而限制了这些技术的应用。为了解决沉积温度高的问题,本课题组采用微波电子回旋共振等离子体增强有机金属化学气相沉积(E
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数据更新时间:2023-05-31
基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究
涡度相关技术及其在陆地生态系统通量研究中的应用
硬件木马:关键问题研究进展及新动向
端壁抽吸控制下攻角对压气机叶栅叶尖 泄漏流动的影响
基于公众情感倾向的主题公园评价研究——以哈尔滨市伏尔加庄园为例
发蓝光的稀土掺杂氧化物薄膜的低温制备和发光特性
微波ECR等离子体低温CVD制备薄膜材料方法的研究
低温等离子体辅助MOCVD技术制备AlInN薄膜材料的生长及掺杂特性研究
超疏水型非晶碳薄膜的低温等离子体制备与性能研究