半导体材料的发光多色化和高亮度化是光电子材料和器件研究中的前沿课题。直接宽带隙GaN材料具有制备纯蓝光器件所要求的光电特性。其发射的纯蓝光与红、绿光构成白光的三基色。GaN基LED具有高亮度、低能耗、高寿命的特点。由于MOCVD和LPE技术生长GaN基材的生长温度高达1050度左右,从而限制了这些技术的应用。为了解决沉积温度高的问题,本课题组采用微波电子回旋共振等离子体增强有机金属化学气相沉积(E
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数据更新时间:2023-05-31
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