薄膜厚度对锰氧化物基p-n异质结电、磁输运性质的影响研究

利用脉冲激光沉积技术制备不同厚度的锰氧化物基p-n异质结。通过研究不同厚度异质结的输运行为（电流－电压关系及其特征量如势垒、结电阻、磁致电阻等）随温度、磁场的依赖特性，获得异质结的电、磁输运性质随薄膜厚度的完整变化规律。进一步通过结合研究薄膜的氧含量和应力状态对异质结电、磁输运性质的影响，分析输运性质的厚度依赖性主要源于与薄膜厚度相关的哪一具体因素（如尺寸、应变、缺陷浓度等）。在输运性质的研究基础上探索相应异质结光场效应的厚度依赖性。通过本项目的研究可望加深对异质结输运机理的认识，找到决定异质结磁场效应强弱的主要因素，为获得具有灵敏磁-电控制能力的异质结提供思路。