用Cf-252自发裂变对三裂变理论模型进行检验

用直流弧光放电等离子体化学气相沉积法，以甲烷作碳源物质，用氢气稀释，于氩气保护气氛中在单晶硅基底上生长低压气相金刚石。用化学法除去硅基底得金刚石膜。通过红外光谱、拉曼光谱和扫描电镜能谱研究了低压气相金刚石中杂质元素种类、化学成分、赋存状态。研究了氢杂质在存在形式及对红外光学性能的影响。在红外吸收谱图的C-H振动吸收范围内共发现四条吸收谱峰：2852.4，2924.3，2963.0cm(-1)和3034.9cm(-1)。前三条谱峰为C-CH3中的VC-H，最后一条谱峰为C=CH2中的VC-H。研究了低压气相金刚石的晶体缺陷和生长位错等微细结构。完成了低压气相金刚石与天然金刚石和高压合成金刚石的杂质成分和赋存状态，核磁共振和顺磁共振分析，三维热释光分析的对比研究。