单晶Al基SiC纤维复合材料界面结合强度的声发射研究

采用熔体导模工艺和坩场下降技术，在同一条件下，一次生长多个取向相同的试样。增强体SiC纤维在纵向中间位置，周围是AL单晶，制备成AL单晶/SiC纤维模型复合材料。通过对两种类型的界面试样，进行拉拨测试和声发射监听实验。观测发现在690℃AL熔体，快速生长的AL单晶/SiC界面中有一定的应力存在，退火处理可以消除这类应力，但降低界面强度；在580℃AL熔体，慢速生长的AL单晶/SiC界面中，存在有AL4C3化合物，它降低界面剪切强度。一些强果还表明：①纤维拉拨实验，是测量界面纯剪切强度较好的方法。②声发射监听，可灵敏地测出界面局部脱粘扩大乃至完成脱粘的整个过程。该项目在运行中，总结了三篇论文，在全国会议文集上和刊物上发表。