基于新型功率器件的E类CMOS功率放大器设计研究

面向CMOS单芯片集成无线通讯芯片的市场需求，针对单芯片集成的瓶颈问题－功率放大器的集成设计，提出在先进CMOS工艺中探索研究高效率的集成功率放大器。利用先进CMOS工艺的工艺特点，提出了与标准CMOS工艺完全兼容，无需增加工艺步骤和光刻版的高性能、易集成的CMOS功率器件结构，为在CMOS中实现高性能功率放大器提供新的途径。面向现代无线通讯系统集成的发展趋势，将探索研制高功率效率的E类PA作为主要研究内容，在设计研究中，提出功率器件研制、建模和功率放大器设计分析方法结合的研究思路，建立基于新型功率器件的E类功率放大器设计的模型和电路分析方法基础，在先进的0.13微米工艺中研制高性能的基于新型功率器件的E类集成功率放大器,为实现单芯片无线通讯系统奠定良好基础。