用于高档液晶显示的薄膜晶体管的基础研究

用低温催化CVD法在不大于500℃的温度下，生长非晶硅、微晶硅、氮化硅薄膜。它是在热CVD法的基础上发展的，可降低沉积时的温度约200℃，催化源、反应气体及其配比，衬底温度、活化器温度、反应室压力以及活化器与衬底之间的距离是催化反应能否稳定进行的关键因素。用本法制得的非晶硅薄膜的优良特性，如光暗电导比超过10（6），自旋密度约10（16）cm（-3），用本法制得的微晶硅薄膜，其择优取向 为（220），载流子的霍尔迁移率达8cm（2），V（-1）S（-1），用本法制得的氮化硅薄膜，其电阻率达10（14）（Ω-cm），击穿强度达10（6）（V/cm）。用上述薄膜制得的薄膜晶体管的开关比达10（6）。本法用于制造太阳电池，薄膜晶体管有广阔前景。完成了预订的各项指标，发表论文6篇。