基于CVD方法制备的水平定向单壁碳纳米管阵列红外探测器的材料、制造及性能研究

基本信息
批准号:60876037
项目类别:面上项目
资助金额:32.00
负责人:李铁
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:周萍,郭淑芳,饶伏波,王翊,周玉修,明安杰
关键词:
红外探测器制造技术CVD方法单壁碳纳米管性能
结项摘要

蓬勃发展的红外探测技术对红外探测器件提出了高灵敏、高密集、多波长的要求,但利用现有红外材料已经很难大幅度提高器件集成度和探测率。碳纳米管带隙取决于其直径和螺旋度,通过控制结构,带隙可覆盖1-15μm 的红外波长范围,并具有良好的热导、高的红外吸收率,是未来新型红外探测器的理想材料。目前国际上的研究已经证实碳纳米管具有较好的红外响应,但是由于碳纳米管的红外探测机理较为复杂,认识不够全面,器件性能还亟待提高。本项目在分析前人工作的基础上,提出采用衬底修饰的CVD方法实现高质量单壁碳纳米管阵列的水平定向生长,利用微电子加工工艺制备碳纳米管红外探测器,明确其红外探测机理,优化器件结构,实现高性能的碳纳米管红外探测器原理样机。本项目完成后,将解决碳纳米管红外探测器的定向材料制备、良好电学连接、结构性能优化等一系列基础问题,从而为进一步高性能碳纳米管红外探测器阵列的研究奠定坚实基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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