采用显微观察和细观力学分析的方法,剖析晶须增强CMCs裂纹尖端后方单体增强相与基体之间的干涉行为,解析刻画出增强相角度依赖性增韧机制脉谱图,揭示了晶须取向角度对控制CMCs增韧过程的晶须弹性架桥、晶须摩擦架桥以及局部基体破碎三种基本机制的形成和作用程度的支配性作用。在此基础上,应用概率统计学方法描述随机取向弥散晶须在断裂抵抗过程的群体效应,得出架桥应力的理论解。SiC晶须定向增强、随机弥散增强以及长晶原位增强Si3N4材料的方向性增韧效果和多级增韧行为等试验现象被发现和证实。材料制备工艺对晶须取向分布的影响被初步分析。试验采用人字形切口以及单边斜切口的弯曲试样;提出了利用试样柔度变化间接测定架桥应力等试验方法。
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数据更新时间:2023-05-31
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