硫系过渡半导体纳米晶可控设备与性质研究

基本信息
批准号:60276014
项目类别:面上项目
资助金额:23.00
负责人:曲胜春
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:叶小玲,张金福,何军,李成明,朱天伟,王威
关键词:
半导体纳米晶量子效应掺杂
结项摘要

采用胶体化学方法制备过渡族元素的硫系化合物半导体纳米晶。以材料的纳米化为前提,基于量子尺寸效应,并结合离子掺杂和无机/有机复合行为研究优化半导体材料性质。对纳米晶的光、电、磁学和磁光等性质进行研究,在此基础上,通过与有机导电聚合物的复合,制备基于量子效应的新型薄膜器件,探索在信息技术上的可能应用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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