基于新型Ullmann反应设计的III-V族化合物半导体低维纳米材料的合成、机理及性质研究

本申请旨在探索一种广泛用于合成III-V族化合物的新方法，着重利用新型Ullmann反应的设计与构造，从分子设计角度探讨III-V族化合物的合成和半导体低维纳米晶体的控制生长，研究典型III-V族化合物半导体低维纳米结构材料在前驱物分子模板作用下的合成与生长，以期在分子水平上探明III-V族化合物在合成过程中的反应机理及其低维纳米材料在化学反应体系中的生长机理。研究中根据具体III-V族化合物的组成和低维结构，合理选择具有不同模板功能的反应前驱物分子，设计和构造特定的新型Ullmann反应，建立一种前驱物自身分子为模板的III-V族化合物的合成与组装一步控制路线，选择性地控制合成目标产物。同时对所合成的III-V族低维纳米材料的光激发、光波导性质，以及纳米化学性质进行深入研究，提高纳米化学基础研究水平，为特殊化学环境器件开发提供依据。