纳米杂化复合光铁电薄膜及效应研究

基本信息
批准号:69771025
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:杨大本
学科分类:
依托单位:电子科技大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:柏维,陈向东,李丹,苟富均,原泸平,王莉,谢丹,王涛
关键词:
光铁电效应纳米薄膜杂化复合
结项摘要

该项目从后处理工艺出发,研究了溶剂环境对0-3型复合压电特性与介电特性的影响,当复合膜中的陶瓷相含量超过一定值时,溶剂环境的存在将使复合膜的d33系数提高1-5倍。通过对PI/SiO2复合条件及工艺技术的研究,成功地在分子水平上实现了PI和SiO2的杂化式复合。微观分析表明,SiO2以nm级的微族形式分布于PI基质中,其柔性复合效应可由弥散模型描述。采用0-3型复合压电技术成功地研制出了性能较好的PI/PLZT复合膜。首次采用掺杂诱导沉积一静电力组装方法研制出聚苯胺与有机聚合物敏和无机聚合物酸的自组装多层复合膜,并对其敏感特性进行了研究。研制出了电子聚合物自组装超薄膜二氧化氮(NO2)气体传感器。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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