金属元素掺杂的ZnS一维半导体纳米材料结构与性能

用热蒸发方法制备的II-VI族半导体ZnS纳米线和纳米带作为基本材料，选择对材料性能有明显影响的Mn和Ag作为掺杂元素，通过离子注入方法、改变注入离子的能量和浓度，制备可控的一维金属元素掺杂的ZnS纳米材料。利用扫描电子显微镜、透射电镜、X-射线能谱、电子能量损失谱和元素分布图来表征掺杂前后的纳米材料的形貌、显微结构和化学成分，以及掺杂元素的赋存状态；利用光谱分析方法研究几种不同尺寸、结构、生长方向和掺杂浓度的单根纳米材料的发光性能；利用扫描隧道显微镜测定单根掺杂后的纳米线或纳米带的电流和电压曲线；并与掺杂前的纳米线和纳米带的性能进行比较，得出掺杂含量对几种尺寸、结构、生长方向不同的纳米材料光学和电学性能的影响；总结出它们之间的变化规律。为掺杂金属元素Mn和Ag的一维半导体ZnS纳米材料的应用提供理论和实验数据。