进行了纯的钛酸铋Bi12TiO20(BTO)、掺Ce的BTO、掺Ce的硅酸铋Bi12SiO20(BSO)、特殊掺杂的铌酸锂LiNbO3(LN)晶体生长。发现当掺Ce的浓度大于0.05wt%时,BTO和BSO均难生长出完整的晶体。研究了Ce杂质对上述晶体的光折变性能与感光波长间的关系。结果表明,掺Ce的BTO和BSO的感光波长全部红移。表现在λ=6328A°时,在相同的外加电压下BTO:Ce的衍射效率明显高于纯的BTO,吸收系数和有效电光系数增加,半波电压减少。在相同的外加电压下,BSO:Ce用He-Ne激光记录达到纯的BSO用Ar(+)激光记录的水平。特殊掺杂的LN晶体在780nm时的灵敏度提高了一个数量级。此外,还研究了BSO:Ce的漂白和光色效应。
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数据更新时间:2023-05-31
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