碳纳米墙冷阴极的可控生长及其场发射稳定性和寿命研究

基本信息
批准号:60801022
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:19.00
负责人:刘卫华
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朱长纯,王琪琨,李昕,于灵敏,商世广,肖志豪,何婷,屈凡
关键词:
石墨烯碳纳米墙场发射冷阴极
结项摘要

场发射稳定性和寿命是纳米冷阴极面临的一个技术瓶颈,获得具有高稳定性长寿命的冷阴极是场发射显示器实用化的迫切要求。本项目研究一种新型纳米冷阴极材料-碳纳米墙(CNW)的可控生长技术及其场发射稳定性和寿命。作为一种二维纳米材料,CNW与衬底接触为线接触或面接触而非点接触,这使得它在场发射稳定性和寿命方面比目前常用的一维纳米线冷阴极材料具有潜在优势。项目研究CNW在特定衬底上的生长行为,揭示CNW成核及生长机理;重点研究如何利用电场和表面微结构引导控制CNW生长方向和形态,实现介质栅孔中有序排列CNW的精细生长;研究CNW冷阴极场发射电流波动及衰减机理,以期提高CNW场发射稳定性和寿命。项目研究为真空微电子器件,特别是场发射显示器提供一种具有高稳定性长寿命的新型冷阴极的可控生长技术,推动真空微电子技术的发展。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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