单晶薄膜中的自旋转移力矩效应研究
基本信息
批准号：10544003
项目类别：专项基金项目
资助金额：10.00
负责人：吴义政
学科分类：
依托单位：复旦大学
批准年份：2005
结题年份：2006
起止时间：2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：董国胜,栗佳,宓曦
关键词：
极化电子输运自旋电子学分子束外延自旋转移力矩
结项摘要
磁性信息存储器件需要利用外磁场来改变磁矩状态。由于外磁场是长程作用力，这就限制了自旋电子学信息存储器件的密度。而最近的理论和实验都表明，自旋极化电流通过铁磁层后，铁磁层磁矩会受到自旋转移力矩的作用。当电流密度大到一定程度，磁矩会发生翻转。这就提供了一个不需要外加磁场并在局域尺度内改变磁矩方向的手段，可以大大提高器件密度，有广阔的应用前景，受到极大的研究兴趣。但是器件应用要求进一步降低翻转磁矩
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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