SiGe/Si应变层超晶格的结构稳定性研究

通过本项研究发现：（1）在一定的热处理条件下，SiGe/Si应变层超晶格中由原子扩散导致的界面层宽通常比应变驰豫更为严重；（2）随着生长温度的提高，在相同的热处理条件下，超晶格中的应变驰豫量增加；（3）SiGe/Si合金超晶格与Si/Ge短周期超晶格有不同的扩散方式，前者以均匀扩散为主，后者以单边扩散为主；（4）折叠声学声子的带隙随界面展宽而减少，其变化可在实验中被观测到；（5）就原子互扩散而言，SiGe合金中有序结构比无序结构更为稳定。上术部分结果已在国内外核心刊物上发表，部分结果有待发表。主要结果在国内外学术会议上报告，得到与会者好评。上述结果为SiGe/Si光电子器件的优化设计、制备以及材料生长提供了重要信息和新的知识。