基于射电物理原理和涨落-耗散理论,数值模拟有关硅基材料的微/纳米尺度辐射传热现象,研究硅基材料在多层薄膜结构的情况下材料的特性参数及薄膜厚度对微/纳米尺度辐射传热的影响,并进一步探讨在一定温度下,如何通过优化材料的特性参数以及多层薄膜结构和薄膜厚度来达到加强和优化微/纳米尺度辐射传热。微/纳米尺度辐射传热在诸如扫描热显微镜(SThM)以及微尺度热光电能量转换装置(TPV)等装置中有很重要的应用,而半导体硅(Si)及其相关化合物(如二氧化硅、碳化硅以及氮化硅等等)是这些装置以及其他各种微电子器件、微/纳米电子机械系统(MEMS/NEMS)制造中广泛使用的材料。因此,本课题所建议的研究不仅具有广泛的应用前景,而且具有重要的理论意义。
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数据更新时间:2023-05-31
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