AlGaAs/GaAs太阳电池抗辐照效应的研究

本项研究采用多片液相外延技术和两步外延工艺来研制AtGaAs/GaAs异质结太阳电池。采用电子辐照和质子辐照模拟空间环境对研制出的电池进行了辐照实验。辐照后的电池进行了低温退火，以观察辐照损伤消除的可能性。光伏特性测量和DLTS测量结果表明：（1）浅结电池具有较强的抗辐照性能；（2）低温退火可便受辐照损耗伤的电池的性能得以大部分恢复；（3）硼硅玻璃盖片对质子辐照有明显的保护作用，但对电子辐照没有保护作用；（4）电子辐照在GaAs太阳电池的U型区中引入了4个深能级：E1、，E2,E3和E4，其中E1和E3的浓度随着退火温度的升高而减小，在350℃退火后，此两能级消失，但E2和E4的浓度无明显变化。以上成果已总结成数篇论文发表。