柔性凸点技术研究

依据ITRS（国际半导体技术路线图），针对当前圆片级封装（WLP）与系统封装（SiP）的共性技术难点之一：由于基板、凸点和芯片的不同材料之间的热不匹配引起的可靠性问题，以及由于凸点的共面度或芯片的翘曲等工艺变形引起的工艺缺陷，提出柔性凸点技术研究。采用MEMS牺牲层技术制作隐埋空气隙的柔性凸点结构，即凸点下方具有一定范围与深度的气隙，从而使得凸点结构可以适应一定程度的Z轴方向上的变形；在X-Y平面方向上，优化设计铜布线的结构和形状，使其效果如同平面范围内的微弹簧，从而实现X-Y平面范围内的柔性。三维方向的柔性完全可以顺应凸点共面度、芯片翘曲等工艺变形、热不匹配引起的工艺与可靠性问题。该工艺路线与当前的芯片制造前道工艺、后道封装以及组装工艺完全兼容。柔性凸点技术的研制，将进一步拓展WLP的运用，并推动其向更大尺寸、更高密度方向的可靠性应用以及SiP的实现，并且消除底部填充工艺。